【公開日：2025.07.02】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1175
利用課題名 / Title
グラフェンへの欠陥導入の研究
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
カーボン,欠陥
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
根間 裕史
所属名 / Affiliation
立命館大学 大学院理工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
塚本匡秋
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
層状物質のグラファイトを単原子層（1L）化した薄い膜はグラフェンと呼ばれ，高移動度でフレキシブルな素材として研究が進められてきている．こうした原子レベルで薄い膜の膜厚を評価する手法としてのラマン分光の有効性は，グラフェンが実現された研究初期から注目されている．近年も低振動数フォノンが検出される等，グラフェンにはまだまだ未解明の分光特性が残されている．本研究では，人為的に欠陥が導入されたグラフェンに注目し，特に円偏光依存性を調べた．
実験 / Experimental
試料として，グラファイト（HOPG）の機械剥離で得られたSiO2/Si上のグラフェンに，酸素プラズマエッチングで欠陥を形成させたものを用いる．欠陥を含有するグラフェンで現れるラマンピークであるG, D’ピークに注目し，円偏光依存性を調べる．
結果と考察 / Results and Discussion
3層のグラフェン試料を用意し，条件を変えて酸素プラズマに曝した．これにより得られた欠陥含有グラフェンに対し円偏光ラマン分光測定を行った．得られたスペクトルの１つを図1に示す．Gピークの円偏光に対する応答は，先行研究と矛盾しない結果を得た．今後層数を変えた測定を実施し，応答の層数依存性を明らかにしたい．また，グラフェンと同様に層状構造をもつ物質のラマン分光研究も実施した．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 欠陥を含むグラフェン（3L）のラマンスペクトル．RR，RLは偏光配置を表す．
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Hirofumi Nema, Observation of low-frequency Raman peak in layered WTe2, Applied Physics Express, 16, 115501(2023).
DOI: 10.35848/1882-0786/ad03d4
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件