【公開日：2025.07.02】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1173
利用課題名 / Title
フォトリソグラフィーによる回折光学素子DOEの作製開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鈴木 清三
所属名 / Affiliation
東明技研株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
江崎裕子,今井憲次
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-103：レーザー直接描画装置
KT-108：レジスト塗布装置
KT-110：レジスト現像装置
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体製造プロセスの一つであるEBリソグラフィー工程を用いた微細光学素子開発として、京都大学ナノハブテクノロジー拠点の設備を利用し、合成石英基板上に微細パターン形成を実施した。
実験 / Experimental
レーザー直接描画装置（KT-103）で最小線幅約1μmパターンを描画露光し、磁気中性線放電ドライエッチング装置（KT-209）でレジストをマスクとしてCr膜をエッチング製作し、エッチング前後のパターンを光学顕微鏡で観察、線幅測定を技術代行で実施した。また、弊社所有の白色顕微鏡にて線幅詳細、及び断面深さの詳細測定を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
レーザー直接描画装置による露光後のパターン上に、レジスト剥離箇所が発生した。その原因としては、①レジスト塗布前の基板上汚れ、②露光エネルギーの不足が考えられます。ただし、露光エネルギーを上げると最小線幅約1.6μｍが解像できない可能性もあります。
次の課題にて以下の検討を考えている。
①レジスト塗布前の汚れの対策として基板洗浄方法の変更：レジスト剥離を基板の予備洗浄としてアセトン手動洗浄をSPM自動洗浄に変更
②露光エネルギー露光条件の最適化：最小線幅約1.6μｍの解像よりも描画安定性を優先して、露光条件（Intensity,Focus)の最適化を実施する。現時点ではIntensity40、Focus -40程度が最適条件と思われる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１.顕微鏡でのパターン観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件