【公開日：2025.07.02】【最終更新日：2025.05.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1150

利用課題名 / Title

SiO₂膜の加工検討

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiO2,TEOS膜,CVD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

野口 登

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

小坂哲朗

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-205：プラズマCVD装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シリコンに貫通ビアを形成し、その後、再配線電極を形成するため、シリコンと再配線電極の絶縁性を確保する目的でSiO₂膜の形成とパターニングが必要です。そこで、SiO₂膜の成膜（京大ナノハブ）と加工検討（弊社内）を行ったので、その結果を報告する。

実験 / Experimental

以下の工程により加工検討を実施。
① シリコンの貫通ビア形成（フォトリソ→エッチング→剥離）
② SiO₂膜成膜　　　※京大ナノハブにて（プラズマCVD装置：KT-205）
③ SiO₂膜パターン形成（フォトリソ→エッチング→剥離）
④ 再配線電極形成

結果と考察 / Results and Discussion

SiO₂膜の成膜条件とエッチング条件の最適化が重要と位置付け、条件振りを実施。
成膜条件では、推奨条件（図２）をベースに温度とパワー条件振りを実施。後工程のプロセス温度を考慮して、推奨条件を採用。エッチング条件は、CF₄（メインガス種）＋O₂流量の調整とバイアス電圧の最適化をおこない、ビア内のパターニングと順テーパー化を実現。　※図３，４参照

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　貫通ビア構造

図２　SiO₂成膜条件

図３　ビア内（上面）パターニング　　

図４　順テーパー化（一例）

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件