【公開日：2025.07.02】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1026
利用課題名 / Title
めっき法に適したナノパターン形成の検討
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ・露光・描画装置, 電析, 高アスペクト,めっき,CVD,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
齋藤 美紀子
所属名 / Affiliation
早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
瀬戸弘之,今井憲次,岸村眞治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-205：プラズマCVD装置
KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置
KT-210：ドライエッチング装置
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
めっき膜はナノスケールでの形成制御が可能であり、高アスペクト比、あるいは複雑な形状を有する構造体への均一形成性に優れるなどの特徴を活かして様々な分野に適用されている。めっき法を用いてホール径50ミクロンのアスペクト比約10への埋め込みが可能であることを確認している。一方アスペクト比が高く、ホール径が小さくなると金属イオンの拡散律速の影響を受け、埋め込みが難しくなる場合もある。下地膜の配向性もその上に成長するめっき膜特性に大きく影響を与える。京大で作製して頂いたTi/Pt（15nm）の特性は良好であることをX線回折で確認しており、その下地膜を用いてナノパターンを形成し、めっき膜形成を行うことを目的とする。 また前回用いていたCVD酸化膜についてはPtスパッタ膜との密着性が悪いこと並びにエッチングに時間を費やすことから本検討ではゾルゲル酸化膜の適用を検討する。
実験 / Experimental
4インチSiウエハーにTi ５ nm/Pt 15 nm のスパッタ膜（KT-201）を形成した。20 mm角にダイシング後表１の条件を用いてゾルゲル膜の形成を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
図１にナノ構造の概念図を示す。 Ti及びPt をスパッタ法で形成した後に表１に示す溶液構成で酸化膜形成を行った。本溶液はスピンコートによる膜形成で回転数や溶液粘度によりその膜厚が決定される。粘度調整としてポリエチレングリコール（PEG）を用いている。テトラエトキシシランの加水分解、重縮合を経てシリカとなる。今後Cr膜形成、シリカのエッチングを行い、めっき膜形成を進める予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表１ ゾルゲル溶液構成
図1 ゾルゲル膜を用いたナノ構造の概念図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
[参考文献]
1. T. Huang, Y. Takamura, M. Saito, Md M. Hasan, D. Araki, T. Homma, S. Kasai, K. Yamada, Y. Sonobe, T. Ono, S. Nakagawa, “Electrophoretically deposited CoPt film for realization of 3D domain wall motion memory,” IEICE Tech. Rep., Vol. 122, 297, 2022.
2. M. M. Hasan, M. Saito, T. Huang, Y. Takamura, K. Yamada, D. Araki, S. Kasai, Y. Sonobe, D. Oshima, T. Kato, S. Nakagawa, T. Ono, T. Homma. Preparation and evaluation of electrodeposited CoPt nanowires for 3D magnetic memory, The 147 Conf. The Surface Finishing Society in Japan, Abstract book for the 147th SFJ conference, Mar 2023.
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, D. Oshima, T. Kato, and T. Homma, 2023 IEEEInternational Magnetic Conference (INTERMAG), 2023, 1-5.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件