【公開日：2025.04.17】【最終更新日：2025.04.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22JI0055
利用課題名 / Title
ギ酸アニール処理後のW,Co酸化膜表面のXPS測定
利用した実施機関 / Support Institute
北陸先端科学技術大学院大学 / JAIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子分光
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
須田 哲哉
所属名 / Affiliation
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
唐澤 幸一
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
伊藤 暢晃 ,堀田 將
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ギ酸アニール処理後のWおよびCo酸化膜のサンプルをTEMで観察すると必ず表面に自然酸化膜が確認される。処理後からTEMなどの測定までの時間経過による自然酸化によるものか、ギ酸アニール処理による自然酸化膜の還元効果があらわれていないのか、切り分けを行うべく、ギ酸アニール処理直後のサンプルをXPS測定する。
実験 / Experimental
CoのAs Depo膜、WのAs Depo膜及び酸化膜をギ酸アニール(300℃,10min)処理を行った。
ギ酸アニール処理後のサンプルを北陸先端科学技術大学院のX線光電子分光装置（XPS）装置を使用して各サンプルの表面を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
ギ酸アニール処理直後のCo表面はCやOが多数存在することが示された。 これは、カルボン酸と思われるピークが存在することによって、表面にギ酸が残留しているか、もしくは表面がCOOH終端された可能性があると考えられる。 WのAs Depo膜に対してギ酸アニール処理後は還元と思われる効果はみられなかった。また、ギ酸アニール処理前と比較して、C原子が多く残留がみられ、大気中の汚染や二酸化炭素との反応によるWCの析出が考えられる。 Wの酸化膜はギ酸アニール処理を行ったところ、酸化膜還元とみられる効果は確認されなかった。また、W膜は大気酸化によりC原子濃度が30％比で増加がみられるため、大気酸化時に空気中のCO2との反応によるWCが析出した可能性が高い。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件