【公開日：2025.06.26】【最終更新日：2025.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0153
利用課題名 / Title
めっき材料の微細構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
触媒材料, メッキ,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam,X線回折/X-ray diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
梅田 良人
所属名 / Affiliation
名古屋大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
今野豊彦,竹中佳生
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-504：超高分解能透過電子顕微鏡
TU-507：集束イオンビーム加工装置
TU-508：集束イオンビーム加工装置
TU-515：高出力全自動水平型多目的X線回折装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
地球環境に配慮するための新しい材料の開発を推進するために、金属めっき材料に対して種々の熱処理をした新素材から東北大学のFIBを用いて断面試料を作成し、TEMにより構造・組織観察を行った。
実験 / Experimental
雰囲気ガス中で熱処理したニッケルめっき基板の最表層の構造を判別するため、まずX線回折法を用いてNiの存在を確認した。その後、表面からFIB集束イオンビーム加工装置（Quanta3D/Versa3D）で薄片試料を作製し、収差補正電子顕微鏡（JEMARM200F）を用いて表面付近の構造観察および組成分析を行った。 Fig.1にFIB試料採取の状況を示す。表面にダメージが入らないように保護膜を蒸着した後、Gaイオンビームにより削り加工を行い、TEM用サンプルを作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.2 に断面組織構造とNi元素のEDS分析結果を示す。このように、Ni基板上に形成したNiめっき層において熱処理に伴う浸食、破壊が起きていることが判明した。この破壊形態は気相との反応を示唆しており、メッキ層が雰囲気とどのように反応しているかを理解することがメッキ層安定化のために必要と考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 断面試料のリフトオフの状況（SIM像）
Fig. 2 断面試料の組織構造（左、SEM像）とNi元素の分布（右、EDS分析）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件