【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2713
利用課題名 / Title
表面に凹凸を有する Si 基板の作製
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基板,マスキング,電子顕微鏡/ Electronic microscope,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鈴木 望
所属名 / Affiliation
神戸大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
諫早伸明,江崎裕⼦
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-121：マスクレス露光装置
KT-108：レジスト塗布装置
KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）
KT-301：超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
KT-332：触針式段差計（CR）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、表⾯に約 2µm の線状の凹凸を有するシリコン基板の作製を⽬的とした。マスクレス露光および深堀りドライエッチング技術を⽤いて、シリコン基板表⾯に⾼アスペクト⽐の微細凹凸構造を形成した。
実験 / Experimental
本実験では、マスクレス露光技術および深堀りドライエッチングを⽤いて、シリコン基板表⾯に微細な凹凸構造を形成した。以下に、その具体的な⼿順を⽰す。
まず、レジスト塗布装置（KT-108）を⽤いて、シリコン基板上に厚膜のフォトレジストを均⼀に塗布した。次に、マスクレス露光装置（KT-121）を⽤いて、デジタルデータに基づき任意の微細パターンをフォトレジストに直接露光した。露光後はレジスト現像装置（KT-110）を⽤いて現像を⾏い、基板上にレジストパターンを形成した。
得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、深堀りドライエッチング装置（KT-234）により基板表⾯の選択的なドライエッチングを⾏い、凹凸構造を形成した。エッチング終了後、 レジストを除去し、有機⽤ドラフト内でH2SO4:H2O2=5:1 の硫酸過酸化⽔素混合液（通称：Piranha 溶液）による化学洗浄処理を⾏った。
最後に、触針式段差計（KT-332）を⽤いてエッチング深さおよび段差の測定を⾏い、超⾼分解能電界放出形⾛査電⼦顕微鏡（FE-SEM）（KT-301）により微細構造の形状および⼨法を観察・評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
超⾼分解能電界放出形⾛査電⼦顕微鏡（FE-SEM）による観察では、パターンエッジの形状が良好に再現されており、側壁の傾きやレジスト残渣も認められなかった。レジストの露光および現像⼯程においても、パターンの歪みや⽋陥は観察されなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件