【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2530
利用課題名 / Title
中赤外レーザー結晶の開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
レーザー材料,フォトニクス/ Photonics,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
時田 茂樹
所属名 / Affiliation
京都大学 化学研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
WU ZHUJING,Wu Xinlei
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
カルコゲナイド結晶にFeやCrのイオンをドープし、レーザー増幅媒質として利用することで、中赤外域の超高強度レーザーの開発を目指している。熱拡散法を利用し、ZnSe結晶やZnS結晶に金属イオンをドープする前処理として、電子線蒸着装置やスパッタ装置を用いて結晶表面に金属膜を製膜する。
実験 / Experimental
電子線蒸着装置（KT-203）を用い、ZnSe結晶にCrの薄膜を製膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
電子線蒸着装置（KT-203）を利用して、真空度1.5x10-4Pa、堆積速度3 A/sでCrの真空蒸着を行った。その結果、ZnSe結晶表面に厚さ51nmの金属薄膜を得た。膜の割れは確認されず、ZnSe基板上に均質な膜を製膜する条件を見出すことができた。図１にウエハ外観写真を示す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ ウエハ外観写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
ZnSe: 広い透明領域を持つⅡ-Ⅵ族半導体で、赤外光学素子やレーザー用光学材料として用いられる。
熱拡散法：加熱によって材料中に不純物や成分を拡散させるプロセスで、半導体やセラミックのドーピングに利用される。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件