【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TT0046
利用課題名 / Title
半導体基板への微細加工技術の検証
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,電子線リソグラフィ/ EB lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鈴木 敦志
所属名 / Affiliation
イー・アンド・イー・エボリューション株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
丹羽一将,神林大介
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
花木美香
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体光デバイスへの応用を目的として電子線露光を用いた微細パターニングの検証を実施した。
今年度は装置の性能評価の為にSi基板上にシンプルなパターン露光を行いその描画速度・制度の評価を行った。
実験 / Experimental
Si基板上にZEP520Aのレジスト塗布を行い、電子線露光を実施した。
レジスト塗布厚は400nm、
露光パターンはピッチ1000nm, Φ100nmの正方格子配列にて設計を行った。
doseを90, 100, 120uC/cm2の3水準にて実施し、形状の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
上記実験条件にて実施したサンプルのSEM観察を行った。
開口部径は露光量によって変化することを確認した。
設計値:Φ100nmに対して、図1(dose90)ではΦ107nm,図2(dose100)ではΦ115nm,図3(dose120)ではΦ121nmという結果が得られ、いづれも設計値より大きい値となった。
断面SEM観察を行ったところ、いづれの露光量においても露光箇所のSi露出を確認することが出来た。
追加でdose量の調整（90未満）やエッチングの検討を実施し、詳細な条件検討を行っていく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1.dose90における露光後のSEM像
図2.dose100における露光後のSEM像
図3.dose120における露光後のSEM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件