【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.06】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS0015
利用課題名 / Title
半導体デバイスの構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子回折/ Electron diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中村 勇
所属名 / Affiliation
三菱電機(株)
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
市川 聡 特任教授
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Siの厚膜試料を対象として、超高圧電子顕微鏡で制限視野電子回折図形による結晶方位の解析が可能な試料膜厚の調査を実施した。
実験 / Experimental
自社で保有するFIB装置を用いて膜厚1、3、5 μmの観察試料を作製し、大阪大学超高圧電子顕微鏡センターのH-3000(加速電圧：2 MV)を用いてSi[100]晶帯軸入射における制限視野電子回折図形を取得した。
結果と考察 / Results and Discussion
各試料から得られた制限視野電子回折図形を図1に示す。膜厚1 μmの試料では回折スポットが明瞭に現れている(図1(a)。膜厚3 μmの試料では、回折スポットを認識することは困難であるが、透過スポットの位置を認識することは可能である。膜厚5 μmの試料では、回折スポットに加え透過スポットの認識も困難である。透過スポットの位置を認識できなければ、試料の方位を正確に把握することは難しい。 試料膜厚が大きいほど菊池パターンが明瞭に現れていることから、試料膜厚5 μmの場合には、試料を透過した電子のほとんどが非弾性散乱を受けたものと推測される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 異なる膜厚の試料から得られたSi[100]晶帯軸入射における制限視野電子回折図形 (a) 1 μm、(b) 3 μm、(c) 5 μm
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件