【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0240
利用課題名 / Title
等方性Siエッチングを用いた3D構造形成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大音 建一
所属名 / Affiliation
セイコーエプソン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
齋藤隆司,寺平成希
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山雅昭,菊田利行,松本行示
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-159：芝浦スパッタ装置（冷却型）
TU-201：DeepRIE装置#1
TU-206：アルバックICP-RIE#2
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
センサーやタイミングデバイスに応用するMEMSデバイスの開発を行っている。Si上に積層（貼り合せ）された圧電体薄膜をメンブレン兼駆動体として利用するためにキャビティを作る事によりこれらをリリースする構造とする。今回は、SiO2に形成した貫通孔からのSiエッチングの条件出しを実施する。
実験 / Experimental
SiO2/Si基板(1.0/525 µm)上に貫通孔のレジストパターンを形成し、SiO2(1.5 µm相当)、Si(60分、エッチングレート不明、SF6)の順にドライエッチングを実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
20 µm幅(短辺)の貫通孔から約50 µm平面方向にエッチングが進んでいることを確認でき、そのエッチングレートは0.9 µm/minであった。また、エッチングレートは貫通孔の幅に依存しており、5 µm幅の貫通孔で0.45 µm/minまで低下する事が分かった。これは貫通孔からSi基板に入るエッチャントが減少した事が原因であると推測された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 結果考察の資料
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
森山先生、菊田研究員、松本研究員におかれましては、本課題の推進に際してご助言、ご協力頂きまして感謝を申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件