【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0361
利用課題名 / Title
ナノギャップデバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,ALD,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
井川 幸一
所属名 / Affiliation
日本特殊陶業 株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎将嗣
利用形態 / Support Type
(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ALD (Atomic Layer Deposition) 法は、単原子層ずつ成膜するため、ピンホールフリーの極薄膜の成膜が可能である。そのため、ALD装置で成膜したSiO2膜は耐電圧性が高いと考えられる。まず、ALD-SiO2膜の耐薬品性の評価を実施した。
実験 / Experimental
4インチのシリコンウエハ上にALD装置でSiO2膜の成膜を行い、レジスト剥離液(SH-303:関東化学)での10分間の処理前後の膜厚変化を測定し耐薬品性を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
表1にレジスト剥離液での10分間の処理前後に分光エリプソメータで測定したSiO2膜の膜厚を示す。
処理前後での膜厚変化は0.1nm程度で有意差なしであり、ALD-SiO2膜のレジスト剥離液に対する耐薬品性はあると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 薬液処理前後の膜厚変化
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
本実験の実施にあたり、山崎将嗣様には大変お世話になりました。感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件