【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24GA0125
利用課題名 / Title
窒化物半導体の表面加工
利用した実施機関 / Support Institute
香川大学 / Kagawa Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜厚測定/ Film thickness measurement,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
木村 真大
所属名 / Affiliation
ナイトライド・セミコンダクター株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
森井 俊和
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
窒化物半導体の表面加工するための表面に塗布する樹脂レジストについて、濃度を変更した樹脂レジスト材料をSi基板上にスピンコーターを使用して均一に塗布し、作製した評価サンプル基板の膜厚測定を行い、濃度と膜厚の関係性について確認を行う。
実験 / Experimental
樹脂レジスト材料の濃度を変更し塗布した評価サンプル基板について、膜厚測定を光干渉式膜厚測定装置（GA-016）にて行う。
結果と考察 / Results and Discussion
光干渉式膜厚測定装置を用い評価サンプル基板測定した結果を表1に示す。本評価結果において、樹脂レジスト材料の濃度を上昇させることで厚膜となり、濃度と膜厚寸法の関係性について結果が得られた。この結果を元に、窒化物半導体表面へ塗布する樹脂レジストの膜厚が制御できるようになった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表１
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件