【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24GA0124
利用課題名 / Title
生体サンプル切断技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
香川大学 / Kagawa Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/ Lithography,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
井上 博文
所属名 / Affiliation
岡山大学病院 医療技術部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
平井 大地
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
寺尾 京平
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
GA-002：マスクレス露光装置
GA-003：スピンコータ－
GA-016：光干渉式膜厚測定装置
GA-014：白色干渉搭載レーザ顕微鏡
GA-013：ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
組織試料の解析前処理に用いるデバイスの加工と加工形状の評価を行う。
実験 / Experimental
酸化膜付4インチシリコンウェハを4分割し、アンモニア過水、硫酸過水で洗浄した。スピンコーター(GA-003)でレジストを塗布後、光干渉式膜厚測定装置(GA-016)で膜厚を確認し、マスクレス露光装置(大日本科研MX-1204:GA-002)でレジストパターンを形成した。酸化膜をウェットエッチングにより除去し、ICP-RIE装置(SPPﾃｸﾉﾛｼﾞ MUC-21 ASEPegasus:登録外装置)で深堀することでシリコン立体微細構造を形成した。構造は白色干渉搭載レーザー顕微鏡(GA-014)およびショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群(GA-013)を用いて形状評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
マスクレス露光装置で最小線幅20μmのレジストパターン、酸化膜パターンが正常に作製されていることを確認し、ICP-RIE装置で貫通エッチングすることによりシリコン微細構造が作製された。構造幅やその他形状について白色干渉搭載レーザー顕微鏡とショットキー電界放出形走査電子顕微鏡で評価し、目的とする寸法の構造が確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件