【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24GA0012

利用課題名 / Title

ＤＮＡ分子の操作と計測に向けたマイクロ流体デバイス開発

利用した実施機関 / Support Institute

香川大学 / Kagawa Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,リソグラフィ/ Lithography,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

平野 研

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所 四国センター

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

藤井 陽平

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

寺尾 京平

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

GA-001：電子線描画装置
GA-002：マスクレス露光装置
GA-013：ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ＤＮＡ分子の計測と操作を目的として、フォトリソグラフィ関連装置を利用し、微細形状を有したマイクロ流路基板やマイクロ構造を作製する.

実験 / Experimental

マスクレス露光装置(大日本科研 MX-1204:GA-002)と電子線描画装置を(Elionix ELS-7500EX:GA-001)用いて位置合わせを行いながら、シリコン基板上にそれぞれマイクロサイズのパターンとナノサイズのパターンを形成し、ICP-RIE装置(SPPﾃｸﾉﾛｼﾞ MUC-21 ASE Pegasus:登録外装置)によりエッチングすることで3次元的なナノ構造を形成した。得られた構造をショットキー電界放出形走査電子顕微鏡(JEOL JSM-IT800SHL:GA-013)で観察し評価を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

得られた構造をショットキー電界放出形走査電子顕微鏡で観察し評価を行った結果、シリコン基板上に最小線幅250nmのパターンを形成することに成功し、ICP-RIE装置により~50ミクロン程度エッチングすることで3次元的なナノ構造が得られた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件