【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0028
利用課題名 / Title
ジャイロセンサーの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
応力制御,センサ/ Sensor,CVD,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
行藤 敏克
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSジャイロセンサーの開発において、応力制御のためにSiN膜が必要となった。構造上、SiN膜の狙い応力値は引っ張り応力+500 MPa。住友精密社製のPE-CVD装置を使用して条件設定を行った。
実験 / Experimental
上部・下部電極温度、ガス流量、HF Powerの設定を組み合わせて成膜を行い、最適条件の確認を行った。
テストした条件の詳細は表1に示す。
結果と考察 / Results and Discussion
上部HF:200 W、ガス流量：SiH4 5 sccm/NH3 5 sccmの設定により、設計値内の応力に制御する事が可能となった。再現性を確認するために、異なる日に2回成膜をおこなったところ、同じ結果が得られた。応力測定結果を表2、膜厚測定および面内分布、成膜レートを表3にします。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 PE-CVD SiN成膜条件
表2 膜応力測定結果
表3 成膜レートおよび面内分布、膜厚測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件