【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0052
利用課題名 / Title
液体分子検出用遷移金属ダイカルコゲナイドFETの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,電子線リソグラフィ/ EB lithography,センサ/ Sensor,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高岡 毅
所属名 / Affiliation
東北大学 多元物質科学研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
辺見政浩
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-064：エリオニクス 130kV EB描画装置
TU-159：芝浦スパッタ装置（冷却型）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
研究目的は、超高感度の新たな液体中微量分子センサー技術の開発である。二硫化モリブデンや二硫化タングステンをはじめとする遷移金属ダイカルコゲナイドをチャンネル材料として用いた電界効果トランジスタを微量分子センサーとして用いる。
実験 / Experimental
分子センサーとして用いる遷移金属ダイカルコゲナイドをチャンネル材料として用いた電界効果トランジスタの作成には、レジスト塗布、電子ビームリソグラフィー、現像、金属蒸着、リフトオフなどのプロセスを行うために、高い性能を持った装置を利用したい。
結果と考察 / Results and Discussion
デバイス作成プロセスであるレジスト塗布、電子ビームリソグラフィー、現像、金属蒸着などの条件を最適化し、高い感度で液中微量分子を検出できるデバイスを作成することができた。また、さらに感度を上げるためには、チャンネル保護に工夫をする必要があることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 黒澤 一姫、高岡 毅、米田 忠弘、"溶液中のフォトクロミック分子の光異性化によるMoS2-FETの光スイッチング動作"、2025年第72回応用物理学会春季学術講演会（野田市）、令和7年3月15日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件