【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0058
利用課題名 / Title
チップレット集積技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ハイブリッド接合,TSV,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),ボンディング/ Bonding
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
福島 誉史
所属名 / Affiliation
東北大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ウエハ接合装置を用い、ウエハをガラスに高耐熱接着剤で張り付け、TSV形成を行う。
実験 / Experimental
8インチウエハに250 ℃以上の耐熱性を有する炭化水素系の高分子接着剤をスピンコートしてベークし、それを同じ外径、且つCTEをSiに近づけた無アルカリガラスウエハと真空接合を行った。荷重は7000 N、接合温度は210 ℃/10分であった。
結果と考察 / Results and Discussion
目視では大きなボイドを発生させることなく接合はできた（図1）。一部でボイドが生じたウエハもあるが、ウエハ接合装置の平坦度や、スピンコートした樹脂のエッジビードなどの影響があると考えらえる。厚さ725 µmから厚さ50 µmまで薄化し、Via-last法でTSV形成することに成功した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. Cu-TSVの断面SEM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件