【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0083

利用課題名 / Title

ナノ構造を用いた光学素子の開発

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,メタマテリアル/ Metamaterial

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

井上 明久

所属名 / Affiliation

JSR株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-054：ホットプレート
TU-064：エリオニクス 130kV EB描画装置
TU-211：プラズマクリーナー

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

工学用途として、ナノピラータイプの光学メタサーフェース作成にあたりSiウェハー上でEBリソグラフィ条件を検討する。パターンは弊社にて準備した。

実験 / Experimental

EBレジスト：ma-N2403（Microresist）
現像液：ma-D-533（Microresist）
EB描画装置：ELS-G125S（エリオニクス）
上記を用いてEBレジスト膜厚およびEB露光条件を変量し、所望のパターンが得られるか条件出しを実施した（表1）。

結果と考察 / Results and Discussion

　EB膜厚3水準、露光条件10水準を組み合わせ露光を行った。現像後のパターン形状およびEBレジストの剥離などから結果を判断した。結果としていずれの条件においても正確なパターン形状は得られず、特にエッジ部分で良好なパターンが得られなかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表1. ma-N2403露光条件

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件