【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0099
利用課題名 / Title
圧電MEMSデバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
圧電MEMS,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小杉 武史
所属名 / Affiliation
住友精密工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-063：i線ステッパ
TU-060：現像ドラフト
TU-053：アクテス スピンコータ#2
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
圧電MEMSデバイスの高機能化・高性能化を実現するため、MEMS構造体の小型化が要求されている。MEMS構造体の小型化を実現するためには、数ミクロン程度の設計ルールによって形成するMEMSプロセス技術ではあく、サブミクロンサイズの機械的構造を形成するMEMSプロセス技術の構築が必要となる。
今回、サブミクロンサイズの圧電MEMSデバイス構造を実現するため、フォトリソグラフィにi線ステッパーを利用して0.5umのL/Sを形成、MEMS構造体を形成する技術を構築することを目的とする。
実験 / Experimental
本実験において、東北大学試作コインランドリ所有i線ステッパー（TU-063）にて、露光条件出しを実施した。レジスト住友化学製を使用、露光条件の設定としては、露光量、フォーカス、NAを変更して各条件におけるリソ後形状をSEMにて観察し、圧電デバイスのフォトリソパターン形成の条件出しを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
リソグラフィ条件として、塗布後膜厚を２µm狙いとし、露光条件1600 mJ/m2, Focus : 0.2 µm, NA/σ＝0.54/0.3の設定条件において、良好な外観をSEM画像(図1)および傾斜像(図2)を確認した。他の寸法に関しても良好な形状状態が確認できている。今後は、条件出しを行った露光条件にてシリコン加工を進め、MEMS構造体を形成、圧電MEMSデバイスのインテグレーション技術の構築を進めていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1．フォトリソ後のSEM画像
図2．SEM傾斜観察画像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件