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- 22AT0026
- Siイオン注入したα-Al2O3の電気的特性
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0022
- 立体湾曲型シリコン光カプラに関する研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0020
- 単一走行キャリアフォトダイオード作製プロセス
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0019
- オプトエレクトロニクス用途の鉛なしハイブリッドハライド半導体のポリハライド処理
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0017
- レーザー直接描画による3次元タンパク質微細構造の作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0012
- チップ表面の化学状態分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0011
- ヘリウムイオン顕微鏡技術による高温超伝導体YBCOジョセフソン接合の作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0010
- 水素プラズマ処理
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0009
- グラフェンデバイス用電極蒸着
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0007
- 微生物解析に向けたピコリットル培養器の開発
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所