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- 22AT5022
- 超伝導検出器の波形信号処理のための研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5021
- メカノクロミック特性を持つジシラン分子の構造変化
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5020
- 陽電子消滅法を用いたトポロジカル物質の結晶欠陥評価に関する研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5019
- 材料損傷発展に及ぼす加工時多軸応力場の影響解明
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5018
- 陽電子プローブアナライザーによる全固体電池を構成する粒子の欠陥・空隙評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5017
- 酸化クロムエピタキシャル膜の陽電子消滅寿命分光
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5016
- CsPbBr3薄膜の陽電子消滅寿命分光
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5015
- 実験と計算で比較したベータ石英結晶のバルク陽電子消滅寿命
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5013
- シリコン中にイオン照射で形成されたナノボイドの分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5012
- 高分子中のポジトロニウム
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所