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提供を予定しているサービス（実施体制が整い次第提供予定）

設計

• CMOS集積回路と高付加価値機能（センサ、フォトニクスなど）の集積化のための設計
• 不純物プロファイル、動作ポテンシャルの設計・解析(TCAD, Spectra)

試作

• 集積回路試作(φ4インチウェーハまで。ゲート長：1.5μm、5μm。)
  CMOS集積回路
  CMOS/JFET混載集積回路
  集積回路とMEMS/センサ、機能性材料との集積化デバイス
  電位検出型マルチモーダルセンサアレイ(光、イオン、圧力など)
• デバイス試作
  GaN、GaN/Siデバイス(μLED、μLEDアレイ)
  化合物半導体を用いた光デバイス(LED、太陽電池)
  光導波路(Si,SiGe加工)
  MEMS、流路、μTASデバイス
• パッケージング(ウェーハダイシング、ボンディング)
• 教育プログラム
  社会人、学生向けの集積回路技術講座（n-MOS集積回路プロセスから評価まで：5日間）

評価

• ウェーハプロセス評価（薄膜膜厚測定、段差測定、CD測定、観察）
• MOSFET、CMOS集積回路　電気特性測定・評価

今後提供予定のサービス

設計

• 試作デバイスからの設計・デバイスパラメータ抽出と設計への反映（R8年度中）

試作

• φ8インチウェーハ対応微細加工（R8年度中）

評価

• φ8インチ対応ウェーハプロセス評価（薄膜膜厚測定、段差測定、CD測定、観察）(R8年度中)