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試作
- CMOS集積回路
（加工）ALDによるゲート絶縁膜形成、深堀ドライエッチング装置によるトレンチキャパシタ形成、スパッタ装置による圧電膜を用いたSAWフィルタ形成
（出来栄え評価）TEM-EELSによるコンタクト不良解析 - 東大VDECなどで試作したCMOS集積回路と高付加価値機能を集積化したデバイス
（加工）ステッパによるナノ電極形成によるトンネル電流検出に基づくDNAシーケンサ - トランジスタ（Si、GaN、SiC、ダイヤモンド、酸化物など）
（加工）、ALDによるGaNのゲート絶縁膜形成形成、多元スパッタ装置によるダイヤモンドやSiC量子デバイスへの電極形成、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置によるGaOへのメサ形成、ALDによる酸化物半導体膜形成
（出来栄え評価）パワーデバイスアナライザによるGaN―HEMT特性評価 - 二次元材料（グラフェン、hBN、硫化物など）
（加工）EB描画装置によるグラフェンへのパターン形成、ドライエッチング装置によるグラファイトへの欠陥導入、ALDによるグラフェン上へのAl2O3ゲート絶縁膜形成
（出来栄え評価）強誘電体特性評価システム、高周波伝送特性測定装置によるグラフェンナノリボンの特性評価、AFMによるグラフェンチューブの分散評価 - 光電融合（レーザ、接合、導波路、光集積回路など）
（加工）EB描画装置と深堀ドライエッチング装置によるGaNの発光効率向上用メタサフェース形成、プラズマCVD装置によるGeSn受発光素子の成膜、深堀ドライエッチング装置による室温励起子ポラリトン由来のレーザ素子のSiメタサフェース形成、磁気中性線放電ドライエッチング装置によるSiO2光導波路の端面垂直化、ステッパによる狭帯域バンドバス光フィルタ用２重周期２次元回折格子パターン作成、二光子重合式３Dプリンターによるマイクロレンズアレイ形成 - 熱電発電
（加工）多元スパッタ装置によるビスマステルル系熱電半導体の成膜、ALDによるシリコンナノワイヤ熱電素子へのアルミナ絶縁膜成膜 - 太陽電池
（出来栄え評価）AFMによる透明太陽電池用ITOナノ粒子の粒径分布測定、パワーデバイスアナライザによるSnS2太陽電池特性評価 - 有機半導体
（加工）パリレン成膜装置による有機半導体用の有機絶縁膜形成
（出来栄え評価）半導体パラメータアナライザによる有機FET（OFET）の特性評価 - プロセス材料
（出来栄え評価）EB描画装置によるEUVレジスト材料のパターン形成精度評価、ナノインプリント装置によるUV硬化樹脂へのパターン形成精度評価、深堀ドライエッチング装置による厚膜ｉ線レジストのエッチング耐性評価 - ３次元実装／２．５次元実装
（加工）ステッパと深堀ドライエッチングによるTSV形成、プラズマCVD装置によるTSV絶縁膜形成、ALDによるTSVへのTiN導電膜形成、磁気中性線放電ドライエッチング装置によるガラスインタポーザのパターン形成、ステッパによるRDL（再配線層）の形成
（出来栄え評価）FIB-SEMによるマイクロバンプのボイド評価 - 異種材料接合
（加工）水蒸気プラズマ表面処理による接合面の親水化、基板接合装置によるSiとセラミックの異種基板接合 - 各種デバイス評価
（出来栄え評価）マニュアル、真空プローバ、RFプローバとインピーダンスアナライザ、ネットワークアナライザ、パワーデバイスアナライザによる多種多様な電気特性評価
分光エリプソ、触針式段差計、ウエハプロファイラ、AFMなどによるウエハレベルからチップレベルでのナノ～ミリメートルスケ―ルの形状測定
顕微鏡設置ピコインデンター、ナノインデンター、レーザドップラー振動計などを用いた機械特性、信頼性評価
XRD、ICP-MSなどによる結晶構造、組成評価
評価
- 電子顕微鏡によるデバイスの構造解析、不良解析
電子顕微鏡による結晶構造、欠陥や歪分布の可視化、TEM-EELSキャリア濃度の評価、微小領域の元素や化学結合評価
今後提供予定のサービス
評価
- FE-SEM（2026年2月頃～）
従来のFE-SEM機能に加えて、新たにSXES（軟X線発光分光）機能を追加することで価電子帯の状態密度情報が得られる。
既存のTEM-EELSによる伝導帯の状態密度情報と合わせることで、半導体のバンド構造を解析できる。