紫外線露光装置
最終更新日：2025年2月20日
| 設備ID | WS-014 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクアライナ） |
| 設備名称 | 紫外線露光装置 (ultraviolet lithography) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | ズース マイクロテック グループ (SUSS MicroTec Group) |
| 型番 | MA6/BA6 |
| キーワード | UV露光・G線(436 nm)、I線(365 nm) 光露光（マスクアライナ） |
| 仕様・特徴 | ズースマイクロテック社製MA6 小片～4インチまで露光可能 最小線幅1μm UV両面マスクアライナー |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=WS-014 |
