プラズマCVD薄膜堆積装置
最終更新日：2022年6月14日
| 設備ID | AT-030 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD（TEOS/SiO2）) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-20SS |
| キーワード | 化学蒸着 TEOS/CVD プラズマCVD 酸化シリコン膜 TEOS酸化膜 |
| 仕様・特徴 | ・型式:PD-20SS ・試料サイズ8インチ ・有効成膜範囲:220mmφ ・排気系:ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ ・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー（コンダクタンス可変型） ・高周波電源:300W（13.56MHz） ・電極間隔:25mm（上部電極:Al製、下部電極:SUS製） ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式（400℃） ・導入ガス:C2F6, O2, TEOS |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=AT-030 |
