高耐圧プローバー付帯IRエミッション顕微鏡
最終更新日：2026年4月1日
| 設備ID | BA-017 |
|---|---|
| 分類 | デバイス特性 > その他 |
| 設備名称 | 高耐圧プローバー付帯IRエミッション顕微鏡 (High-voltage prober with IR emission microscope) |
| 設置機関 | 筑波大学 |
| 設置場所 | 総合研究棟B |
| メーカー名 | 浜松ホトニクス／TNSシステムズ (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC ) |
| 型番 | THEMOS-1000 / TMP6-3HV-HPK01 |
| キーワード | 故障解析 発熱分布 パワーエレクトロニクス/ Power electronics パワーデバイス シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices 半導体デバイス 高耐圧プローバ |
| 仕様・特徴 | 半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布（温度分布）の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。また、本装置付帯の高耐圧プローバを利用することで、パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせ、3000Vまでの各種電気特性評価が可能である。 検出波長：3.7μm～5.1μm 最大視野：3cm × 2cm 最小視野：0.7mm × 0.7mm 最小空間分解能：2.8μm 雑音等価温度差：25mK 時間分解能：3μsec. ステージ温度：室温～200℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=BA-017 |
