反応性イオンエッチング装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | BA-012 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 反応性イオンエッチング装置 (Reactive Ion Etching System) |
| 設置機関 | 筑波大学 |
| 設置場所 | 共同研究棟C |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-10NR |
| キーワード | 反応性イオンエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | 8インチウエハ対応 高周波出力；300W 発振周波数；13.56MHz ガス；CF4、CHF3、O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=BA-012 |
