シリコン深掘りエッチング装置
最終更新日：2022年6月10日
| 設備ID | HK-624 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | シリコン深掘りエッチング装置 (Si Deep RIE System) |
| 設置機関 | 北海道大学 |
| 設置場所 | 創成科学研究棟クリーンルーム |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
| 型番 | APX-Pegasus-Polestar |
| キーワード | 高速深掘り ランピング機能 |
| 仕様・特徴 | 使用ガス：SF6、C4F8、Ar、O2 試料サイズ：最大4インチ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=HK-624 |
