ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素）
最終更新日：2022年6月10日
| 設備ID | HK-619 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素） (ICP-RIE Etching Systems(Cl)) |
| 設置機関 | 北海道大学 |
| 設置場所 | 創成科学研究棟クリーンルーム |
| メーカー名 | サムコ (samco) |
| 型番 | RIE-101iHS |
| キーワード | GaAs、GaN、InP、サファイア |
| 仕様・特徴 | 使用ガス：Ar、O2、SiCl4、Cl2 試料サイズ：最大４インチ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=HK-619 |
