集積回路パターン微細加工（FIB）装置
最終更新日：2026年5月8日
| 設備ID | UT-607 |
|---|---|
| 分類 |
膜加工・エッチング > その他 デバイス特性 > 電気特性評価 |
| 設備名称 | 集積回路パターン微細加工（FIB）装置 (FIB for LSI Repair) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知ビル104号室 |
| メーカー名 | FEI (FEI) |
| 型番 | 400ACE |
| キーワード | 集束イオンビーム、FIB |
| 仕様・特徴 | LSI配線を効率的に修正するための装置です。 ガスを利用した金属配線カット、および絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。 Ga集束イオンビーム(加速電ア0.5-30kV)、Beam current: 1.1pA-65nA、SIM像解像度：4.5nm、ガス：XeF2(絶縁膜/低誘電率膜のエッチング)、W(CO6):タングステンの堆積用。 大規模集積回路（VLSI）の配線修正に特に適した装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析部門で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-607 |
