原子層堆積装置
最終更新日：2026年5月1日
| 設備ID | RO-332 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟1F |
| メーカー名 | オクスフォード・インスツルメンツ (Oxford Instruments) |
| 型番 | PP-ASP |
| キーワード | 原子層堆積、ALD |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：最大Φ8インチまで対応可 Al2O3、HfO2、TiN、NbN、SiO2成膜可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=RO-332 |