エッチング装置（RIE SiO2用）
最終更新日：2026年4月30日
| 設備ID | RO-419 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | エッチング装置（RIE SiO2用） (Reactive ion etching system for SiO2) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | サムコ (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-200NL-H |
| キーワード | 異方性エッチング、ドライエッチング |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：最大Φ8インチまで対応可 CF4, C4F8, H2, O2, Arガス使用可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=RO-419 |
