レーザ描画装置
最終更新日：2026年4月30日
| 設備ID | IT-044 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | レーザ描画装置 (Laser lithography) |
| 設置機関 | 東京科学大学（旧：東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大学大岡山キャンパス |
| メーカー名 | ハイデルベルグ インスツルメンツ (Heidelberg Instruments) |
| 型番 | DWL66+ |
| キーワード | 微細構造形成、光露光（マスクレス、直接描画）/ Optical exposure (maskless and direct drawing) |
| 仕様・特徴 | 375nmレーザ光走査によるパターン生成露光、 最大200mm角露光サイズ（設置できる最大角型基板サイズは9インチ×9インチ）、 最小描画画素0.3um、 アライメント精度±0.25um CADデータ取り込み機能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=IT-044 |