Eガン蒸着装置
最終更新日：2026年4月30日
| 設備ID | IT-043 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 蒸着(抵抗加熱、電子線) |
| 設備名称 | Eガン蒸着装置 (Electron Beam Evaporator) |
| 設置機関 | 東京科学大学（旧：東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大学大岡山キャンパス |
| メーカー名 | 日電アネルバ株式会社 (NEC Anelva Corp.) |
| 型番 | VI-45N |
| キーワード | 金属薄膜形成、蒸着（抵抗加熱、電子線）/ Evaporation (resistance heating and electron beam) |
| 仕様・特徴 | 三連電子ビーム銃 出力2kW 到達真空度: 1e-6Torr以下 試料サイズ 10cm×5cm角までの任意形状 蒸着原材料: Ti, Pd, Ni, Cr, Au |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=IT-043 |