電子ビーム描画装置
最終更新日：2026年4月30日
| 設備ID | IT-042 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 設備名称 | 電子ビーム描画装置 (Electron Beam Lithograpy) |
| 設置機関 | 東京科学大学（旧：東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大学大岡山キャンパス |
| メーカー名 | 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.) |
| 型番 | JBX6300FS |
| キーワード | 微細構造形成、電子線描画（EB）/ Electron beam lithography |
| 仕様・特徴 | スポットビーム、ベクタースキャン方式 ビーム径3nm以下(100kV)、最少線幅10nm以下 重ね合わせ精度/重ね合わせ精度10nm以下 試料最大100㎜φウエーハまで（不定形可能） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=IT-042 |