DeepRIE装置#3
最終更新日：2022年6月6日
| 設備ID | TU-203 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | DeepRIE装置#3 (DeepRIE #3) |
| 設置機関 | 東北大学 |
| 設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
| メーカー名 | STS (STS) |
| 型番 | Multiplex-ICP SR |
| キーワード | ボッシュプロセスによるSiの深堀エッチング、SiO2、SiNのエッチング |
| 仕様・特徴 | サンプルサイズ：6インチ、または、4インチ(小片～6または4インチ) 基板固定方式：メカニカルチャック プラズマ方式：ICP ガス：SF6、C4F8、CHF3、Ar、O2 メタルマスク（Al、Crなど）可 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TU-203 |
