原子層堆積装置 [TFS200]
最終更新日：2026年3月2日
| 設備ID | NM-673 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 [TFS200] (ALD [TFS200]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟102室 |
| メーカー名 | Beneq (Beneq) |
| 型番 | TFS200 |
| キーワード | ALD、原子層堆積、薄膜、絶縁膜、パッシベーション、原子層堆積（ALD）装置/ Atomic layer deposition (ALD) |
| 仕様・特徴 | ・用途：多種ALD酸化膜形成 ・成膜方式：サーマルALD ・成膜膜種：Al2O3, TiO2, HfO2, ZnO, ZrO2, Y2O3, Ta2O5 ・試料サイズ：最大φ8インチ ・その他：オープンロード式 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=NM-673 |
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