XeF2ガスエッチング装置
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-309 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
| 設備名称 | XeF2ガスエッチング装置 (XeF2 etching system) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
| 型番 | Xetech E1 |
| キーワード | MEMS/センサデバイスのドライプロセス加工 Si犠牲層エッチング Si等方性エッチング |
| 仕様・特徴 | XeF2ガスによりSiを選択的に除去する。 対応基板サイズ：φ4インチ 以下 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-309 |
