GaN用ICP-RIE装置
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-308 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | GaN用ICP-RIE装置 (Dry etching system(GaN)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-101iPH |
| キーワード | GaNデバイスのドライプロセス加工、ICP-RIE |
| 仕様・特徴 | 難加工性の高い窒化物半導体(GaN）系材料のエッチングを行う。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：Cl2, SiCl4 対応試料：φ4インチおよび小片チップ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-308 |
