汎用ICP-RIE装置(CE-300I)
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-307 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 汎用ICP-RIE装置(CE-300I) (Dry etching system(CE-300I)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | アルバック (ULVAC) |
| 型番 | CE-300I |
| キーワード | MEMS/センサデバイスのドライプロセス加工 ダイアモンドの加工 圧電膜の加工 |
| 仕様・特徴 | プラズマ化したガスにより酸化物および貴金属材料の除去を行う。投入試料(素材）の自由度が高い装置です。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：Ar, O2,SF6,CF4, CHF3（組み合わせに制限有り） 対応試料：φ4インチ専用。Φ4インチウェハに小片試料を載せて利用することも可 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-307 |
