Si深堀エッチング装置(Deep-RIE)
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-306 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | Si深堀エッチング装置(Deep-RIE) (Dry etching system(Deep-RIE)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
| 型番 | MUC21-RD |
| キーワード | MEMS/センサデバイスのドライプロセス加工 Deep-RIE ボッシュプロセス 深堀エッチング 高アスペクト比加工 |
| 仕様・特徴 | ボッシュプロセス装置 使用ガス：SF6,C4F8,Ar,O2 対応基板：φ4インチ Siウェハ専用 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-306 |
