ICP-RIE装置
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-305 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 (Dry etching system(Sirius)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
| 型番 | APX-Sirius |
| キーワード | 集積回路製作前工程(メタルプロセス前まで)のドライプロセス加工 フッ素系ガス ICP-RIE |
| 仕様・特徴 | プラズマ化したガスによりSi系材料を除去する。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：CF4, CHF3, SF6, O2, N2 対応試料：φ4インチ専用 Si集積回路プロセス用 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-305 |
