プラズマCVD装置(Cetus)
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-254 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD装置(Cetus) (Plasma Enhanced CVD system(Cetus)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
| 型番 | APX-Cetus |
| キーワード | 集積回路・MEMS/センサデバイスへのポリSi、SiOx、SiN膜堆積 |
| 仕様・特徴 | 原料ガスをプラズマ化することでSi酸化膜やSi窒化膜等の化学気相成長を行う。 ＜使用ガス＞ SiOx：SiH4, N2O または TEOS,O2 SiN：SiH4, NH3 SiON：SiH4, N2O, NH3 対応膜：アモルファスSi, SiOx, SiN, SiON 対応試料：φ8インチ以下 基板温度：350℃まで Si以外材料も投入可能です |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-254 |
