プラズマCVD装置(TEOS)
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-253 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD装置(TEOS) (Plasma Enhanced CVD system(TEOS)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-220NLM |
| キーワード | 集積回路へのSi酸化膜堆積 リフロープロセスBPSG BSG PSG |
| 仕様・特徴 | 原料ガスをプラズマ化することでSi酸化膜の化学気相成長を行う。ボロンドープ、リンドープ SiOx膜(BSG, PSG, BPSG）の成膜も可能。 ＜使用ガス＞ SiOx： TEOS、O2 ボロン源：TEB リン源：TMP 対応試料：φ8インチ以下、集積回路プロセス用 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-253 |
