リン拡散炉
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-462 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 拡散 |
| 設備名称 | リン拡散炉 (Phosphorus Diffusion System) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES² |
| メーカー名 | 光洋リンドバーグ(JTEKTサーモシステム） (JTEKT Thermo Systems) |
| 型番 | Model 272M |
| キーワード | 不純物導入 集積回路試作用 リン拡散 |
| 仕様・特徴 | Siウェハを1,000℃以上に加熱し、リンを含むガスを流しウェハ内にリンを導入する。 使用温度：1040℃ 使用ガス：POCl3（N2バブリング）, O2, N2 対応基板：Si基板専用 φ4インチ または φ2インチ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-462 |
