イオン注入装置
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-461 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > イオン注入 |
| 設備名称 | イオン注入装置 (Ion Implantation System) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES² |
| メーカー名 | 日新イオン機器 (Nissin Ion Equipment) |
| 型番 | EXCEED2300SDV |
| キーワード | 不純物導入 イオン注入 |
| 仕様・特徴 | イオンを高エネルギーで加速しウェハへ打ち込む装置。 注入可能イオン：B, BF2, P, Si 加速電圧：10-150kV 対応基板：20mm角～φ8インチ以下（φ8インチ以下試料は8インチウェーハへの貼り付けにて処理します） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-461 |
