CMOS用エッチング装置(F系ガス)
最終更新日：2025年9月24日
| 設備ID | TH-301 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | CMOS用エッチング装置(F系ガス) (Dry etching system(CMOS F)) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | キヤノンアネルバ (Canon Anelva) |
| 型番 | L-415D-L |
| キーワード | 集積回路試作のドライプロセス加工 フッ素系ガス ゲート加工 |
| 仕様・特徴 | プラズマ化したガスによりSi系材料を除去する。 プラズマ生成方式：平行平板型 使用可能ガス：CF4, CHF3, SF6, O2, N2 対応試料：φ8インチ以下 集積回路プロセス用 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-301 |
