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RF/DCメタルスパッタ装置(E-400S)

最終更新日:2025年9月24日
設備ID TH-202
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
設備名称 RF/DCメタルスパッタ装置(E-400S) (Metal Deposition System(E-400S))
設置機関 豊橋技術科学大学
設置場所 IRES2
メーカー名 キヤノンアネルバ (Canon Anelva)
型番 E-400S
キーワード 集積回路、MEMS/センサデバイス用金属膜成膜
RFスパッタ
DCスパッタ
反応性スパッタ
仕様・特徴 方式:DC/RFスパッタ、フェイスダウン
対応試料:φ4インチ3枚またはチップトレイ
材料:純Al、Al-1%Si、Ti、W、TiN(反応性スパッタにて)
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-202
    RF/DCメタルスパッタ装置(E-400S)
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