マスクレス露光装置（MLA150）
最終更新日：2025年9月25日
| 設備ID | OS-129 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | マスクレス露光装置（MLA150） (The Advanced Maskless Aligner ) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所N415 |
| メーカー名 | ハイデルベルグ (Heidelberg) |
| 型番 | MLA150 |
| キーワード | マスクレス 直接描画 |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 本装置は、ラピッドプロトタイピング、少量から中量生産、および研究開発環境に適応可能な、マスク不要の非接触レーザー露光装置です。 【仕様】 小描画サイズ：0.5μm 100×100mm2エリアに対する露光所要時間[min] ： 36 (Fast mode) 90 (Quality mode) 露光パターン線幅偏差：[3σ, nm] 120 100×100mm2エリアに対するオーバーレイ精度[3σ, nm] 500 最大基板サイズ ：6インチ x 6インチ 最小基板サイズ ：5 mm x 5 mm 最大露光エリア ：150 x 150 mm2 搭載基板厚さ : 0.1 to 6 mm 干渉計分解能 : 20nm 光源：半導体レーザー（375nm，405nm） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=OS-129 |
